TK12E80W,S1X

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

11.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

23 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

165 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

DTMOSIV

Serie:

TK12E80W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

130 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

70 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

TK12E8, TK12E, TK12, TK1