STGWA80H65DFB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

120 A

Pd - Dissipazione di potenza:

469 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

STGWA80H65DFB

Corrente continua del collettore Ic Max:

80 A

Altezza:

5.3 mm

Lunghezza:

20.3 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 175 C

Larghezza:

15.9 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

120 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

1.340411 oz

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STGWA8, STGWA, STGW, STG