IXTY26P10T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

26 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

52 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

trincea

Confezione:

Tubo

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.22 mm

Serie:

IXTY26P10

Tipo:

MOSFET di potenza TrenchP

Larghezza:

6.73 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTY2, IXTY, IXT