AFT20S015GNR1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

132 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 65 V

Guadagno:

17.6 dB

Potenza di uscita:

1.5 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-270-2

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

100 MHz to 3.6 GHz

Serie:

AFT20S015N

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

1 Channel

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

11 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Parte # Alias:

935314968528

Unità di peso:

0.019330 oz

Tags

AFT20S, AFT20, AFT2, AFT