STGD3NB60SDT4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

6 A

Pd - Dissipazione di potenza:

48 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STGD3NB60SD

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

6 A

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.6 mm

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

3 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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