RZQ050P01TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-457T-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

19 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

35 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

RZQ050P01

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

225 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

100 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

420 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

RZQ050P01

Unità di peso:

0.000494 oz

Tags

RZQ050P01T, RZQ050, RZQ05, RZQ0, RZQ