IPP80N08S2-07

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

50 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

61 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Parte # Alias:

IPP80N08S207AKSA1 IPP8N8S27XK SP000219040

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IPP80N08S2, IPP80N08, IPP80N, IPP80, IPP8, IPP