DMN1054UCB4-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X1-WLB0808-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

5 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.34 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN1054

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

2 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.2 ns

Unità di peso:

0.000028 oz

Tags

DMN10, DMN1, DMN