2SJ656

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

58 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Massa

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

2SJ65, 2SJ6, 2SJ