SH8J66TB1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

19 mOhms

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

11 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.030018 oz

Tags

SH8J66, SH8J6, SH8J, SH8