APTGTQ200DA65T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

Tecnologia:

-

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.65 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

200 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

480 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

483 W

Pacchetto/custodia:

SP3F

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

3.880136 oz

Tags

APTGTQ2, APTGTQ, APTGT, APTG, APT