FDFMA3P029Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MicroFET-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

87 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

7.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

6 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.2 ns

Unità di peso:

0.002116 oz

Tags

FDFMA3, FDFMA, FDFM, FDF