DMN2053UVT-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

3.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

3.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.6 ns

Tags

DMN2053, DMN205, DMN20, DMN2, DMN