FDR8508P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSOT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.02 mm

Lunghezza:

4.06 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

9 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

750

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

FDR8508P_NL

Unità di peso:

0.001467 oz

Tags

FDR850, FDR85, FDR8, FDR