BFR 35AP E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Serie:

BFR35

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

2.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

70 at 15 mA at 8 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Frequenza operativa:

5000 MHz

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente massima del collettore CC:

0.045 A

Pd - Dissipazione di potenza:

280 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BFR35APE6, BFR35APE, BFR35AP, BFR35A, BFR35, BFR3, BFR