NDFPD1N150CG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220F-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.5 kV

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

4.2 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

NDFPD1N150C

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

280 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

43 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

NDFP, NDF