NTD4960N-1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

11.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.68 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

48 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTD4960, NTD496, NTD49, NTD4, NTD