NJVMJD243T4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

300 mV

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD243

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 200 mA, 1 VDC

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40 at 200 mA, 1 VDC

Pd - Dissipazione di potenza:

12.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.012381 oz

Tags

NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV