MJD42CG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD42C

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 300 mA, 4 V, 15 at 3 A, 4 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

MJD42, MJD4, MJD