FDME1023PZT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UMLP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

95 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

5.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.3 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

FDME1023PZT

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

7 S

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.7 ns

Unità di peso:

0.000889 oz

Tags

FDME102, FDME1, FDME, FDM