2N5115e3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18-3

Polarità del transistor:

Canale P

Configurazione:

Separare

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

30 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

- 15 mA to - 60 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 Ohms

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Confezione:

Massa

Marca:

Microchip / Microsemi

Tensione di interruzione gate-source:

3 V to 6 V

Tensione massima della porta di drenaggio:

30 V

Tipologia di prodotto:

JFET

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N5115, 2N511, 2N51, 2N5