STS15N4LLF5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V, 18 V

Qg - Carica cancello:

12.9 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

STS15N4LLF5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

5.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

STS15, STS1, STS