CMUDM8005 TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-523

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

650 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

250 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UltraMini

Confezione:

Bobina

Serie:

CMUDM8

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore centrale

Transconduttanza diretta - Min:

200 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

48 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

38 ns

Parte # Alias:

CMUDM8005 PBFREE TR

Unità di peso:

0.000071 oz

Tags

CMUDM8005T, CMUDM8005, CMUDM800, CMUDM8, CMUDM, CMUD, CMU