NID9N05CLT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

52 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.74 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

NID9N05CL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

24 S

Tempo di caduta:

1800 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

500 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

2.5 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

200 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NID9N05C, NID9N0, NID9, NID