FDN308P_F154

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSOT-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

136 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

3.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.12 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

FDN308P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

FDN308P, FDN308, FDN30, FDN3, FDN