SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3
Mfr. #:
SI1417EDH-T1-E3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI1417EDH-T1-E3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI1417EDH-E3
Unità di peso
0.000265 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Nome depositato
TrenchFET
Pacchetto-Custodia
SOT-363-6
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 P-Channel
Pd-Power-Dissipazione
1 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
1400 ns
Ora di alzarsi
1400 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
12 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
2.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
160 mOhms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
4900 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
600 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI1417EDH-T, SI1417E, SI1417, SI141, SI14, SI1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-70 T/R
***C
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin
***ment14 APAC
MOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363-6
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
***ser
P-Channel MOSFETs 12V 3.3A
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-3300mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.160ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.45V; Power Dissipation, Pd:1W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.133ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI1417EDH-T1-E3
DISTI # SI1417EDH-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI1417EDH-T1-E3
    DISTI # SI1417EDH-T1-E3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI1417EDH-T1-E3
      DISTI # SI1417EDH-T1-E3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI1417EDH-T1-E3
        DISTI # 781-SI1417EDH-E3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
        RoHS: Compliant
        0
          SI1417EDH-T1
          DISTI # 781-SI1417EDH
          Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
          RoHS: Not compliant
          0
            SI1417EDH-T1-E3Vishay Intertechnologies 121
              SI1417EDH-T1-E3
              DISTI # 2335279
              Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363
              RoHS: Compliant
              0
              • 1:$1.0500
              • 10:$0.7660
              • 100:$0.7180
              • 250:$0.6220
              • 500:$0.5270
              • 1000:$0.4150
              • 3000:$0.3350
              • 6000:$0.3180
              Immagine Parte # Descrizione
              SI1417EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-GE3

              MOSFET
              SI1417EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-E3

              MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1441EDH-T1-GE3
              SI1417EDH

              Mfr.#: SI1417EDH

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-1190

              Nuovo e originale
              SI1417EDH-T1

              Mfr.#: SI1417EDH-T1

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-1190

              MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1441EDH-T1-GE3
              SI1417EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-GE3-VISHAY

              MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
              SI1417EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-E3-VISHAY

              IGBT Transistors MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
              Disponibilità
              Azione:
              Available
              Su ordine:
              4500
              Inserisci la quantità:
              Il prezzo attuale di SI1417EDH-T1-E3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
              Prezzo di riferimento (USD)
              Quantità
              Prezzo unitario
              est. Prezzo
              1
              0,00 USD
              0,00 USD
              10
              0,00 USD
              0,00 USD
              100
              0,00 USD
              0,00 USD
              500
              0,00 USD
              0,00 USD
              1000
              0,00 USD
              0,00 USD
              A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
              Iniziare con
              Top