TC6320K6-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7 Ohms, 8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.37 mm

Lunghezza:

4.89 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

3.91 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Transconduttanza diretta - Min:

400 mS, 400 mS

Tempo di caduta:

15 ns, 15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3300

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 10 ns

Unità di peso:

0.001319 oz

Tags

TC6320, TC632, TC63, TC6