NDB603AL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

80 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

70 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NDB603, NDB60, NDB6, NDB