FJP13007H1TU-F080

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FJP13007

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 2 A, 5 V

Confezione:

Tubo

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8 at 2 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FJP13007H1TU_F080

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

FJP13007H1TU-F, FJP13007H1TU, FJP13007H1T, FJP13007H1, FJP13007H, FJP13007, FJP13, FJP1, FJP