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SI8401DB-T1-E1

SI8401DB-T1-E1
Mfr. #:
SI8401DB-T1-E1
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI8401DB-T1-E1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI8401DB-E1
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
MicroFoot-4
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 P-Channel
Pd-Power-Dissipazione
1.47 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
28 ns
Ora di alzarsi
28 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
12 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
3.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
65 mOhms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
88 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
17 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI8401DB-T, SI8401D, SI8401, SI840, SI84, SI8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single P-Channel 20 V 0.095 Ohm 17 nC 1.47 W Silicon SMT Mosfet - MICRO-FOOT
***et
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
***i-Key
MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4900mA; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.4V; Power Dissipation, Pd:1.47W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		2980In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		2980In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.5236
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8401DB-T1-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.4939
  • 6000:$0.4799
  • 12000:$0.4599
  • 18000:$0.4469
  • 30000:$0.4349
SI8401DB-T1-E1
DISTI # 781-SI8401DB-T1-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.1900
  • 10:$0.9800
  • 100:$0.7520
  • 500:$0.6470
  • 1000:$0.5100
  • 3000:$0.4760
Immagine Parte # Descrizione
SI8401DB-T1-E3

Mfr.#: SI8401DB-T1-E3

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E3

 MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB-T1-E1

Mfr.#: SI8401DB-T1-E1

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E1

 MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB-T1-E3

Mfr.#: SI8401DB-T1-E3

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB-T1-E1

Mfr.#: SI8401DB-T1-E1

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E1-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB

Mfr.#: SI8401DB

OMO.#: OMO-SI8401DB-1190

 Nuovo e originale
SI8401DB-T1

Mfr.#: SI8401DB-T1

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-1190

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est. Prezzo
1
0,65 USD
0,65 USD
10
0,62 USD
6,20 USD
100
0,59 USD
58,71 USD
500
0,55 USD
277,25 USD
1000
0,52 USD
521,90 USD
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