FDMD8260LET60

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-12

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

49 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

44 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Clip di alimentazione

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

FDMD8260LET60

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

56 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

47 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.002904 oz

Tags

FDMD82, FDMD, FDM