HGT1S20N60C3S9A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263AB-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

45 A

Pd - Dissipazione di potenza:

164 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

HGT1S20N60C3S

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

45 A

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

15 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.046296 oz

Tags

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