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IXDN55N120D1

IXDN55N120D1
Mfr. #:
IXDN55N120D1
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
IGBT Transistors 55 Amps 1200V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXDN55N120D1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXDN55N120D1 DatasheetIXDN55N120D1 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
IXYS
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Pacchetto/custodia:
SOT-227B-4
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Configurazione:
Singolo doppio emettitore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
2.3 V
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
IXDN55N120
Confezione:
Tubo
Corrente continua del collettore Ic Max:
100 A
Altezza:
9.6 mm
Lunghezza:
38.23 mm
Larghezza:
25.42 mm
Marca:
IXYS
Corrente continua del collettore:
100 A
Tipologia di prodotto:
Transistor IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
10
sottocategoria:
IGBT
Unità di peso:
1.058219 oz
Tags
IXDN55N120D, IXDN55, IXDN5, IXDN, IXD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    S***v
    S***v
    RU

    Thank you!

    2019-04-20
    D***n
    D***n
    TR

    Nice product for you

    2019-02-08
***ure Electronics
IXDN Series 1200 Vce 100 A 100 ns t(on) High Voltage IGBT - SOT-227B
***ark
Igbt, N-Ch, 1.2Kv, 100A, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Dc Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.3V; Power Dissipation Pd:450W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes
***trelec
Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) kV = 1.2 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2.8 / Emitter Leakage Current nA = 500 / Power Dissipation (Pd) W = 450 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-227B / Pins = 4 / Mounting Type = SMD
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXDN55N120D1
DISTI # IXDN55N120D1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		On Order
  • 250:$22.2575
  • 100:$24.2530
  • 30:$26.0950
  • 10:$28.3980
  • 1:$30.7000
IXDN55N120D1
DISTI # 02AC9794		IXYS CorporationIGBT, N-CH, 1.2KV, 100A, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,DC Collector Current:100A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.3V,Power Dissipation Pd:450W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV,Transistor Case , RoHS Compliant: Yes2
  • 1:$33.7700
  • 5:$32.0900
  • 10:$31.2400
  • 25:$28.7100
  • 50:$28.0200
  • 100:$26.6800
  • 250:$24.4900
IXDN55N120D1
DISTI # 747-IXDN55N120D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 55 Amps 1200V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$30.7000
  • 5:$29.1700
  • 10:$28.4000
  • 25:$26.1000
  • 50:$25.4700
  • 100:$24.2500
  • 200:$22.2600
IXDN55N120D1
DISTI # IXDN55N120D1		IXYS Corporation1200V 100A 450W SOT227B
RoHS: Compliant		28
  • 1:€24.7000
  • 5:€20.7000
  • 10:€18.7000
  • 25:€18.0000
IXDN55N120D1
DISTI # 2674741		IXYS CorporationIGBT, N-CH, 1.2KV, 100A, SOT-227B
RoHS: Compliant		2
  • 1:£24.3900
  • 5:£23.1600
  • 10:£20.7400
  • 50:£20.2300
  • 100:£17.6800
IXDN55N120D1
DISTI # 2674741		IXYS CorporationIGBT, N-CH, 1.2KV, 100A, SOT-227B
RoHS: Compliant		2
  • 1:$48.5800
  • 10:$44.9400
  • 30:$41.3000
  • 100:$38.3800
  • 250:$35.2200
Immagine Parte # Descrizione
L7805CV

Mfr.#: L7805CV

OMO.#: OMO-L7805CV

 Linear Voltage Regulators 5.0V 1.0A Positive
860040572002

Mfr.#: 860040572002

OMO.#: OMO-860040572002

 Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded WCAP-ATUL 35V 47uF 20% ESR=450mOhms
AD633JRZ

Mfr.#: AD633JRZ

OMO.#: OMO-AD633JRZ

 Special Purpose Amplifiers ANALOG MULTIPLIER IC
FG18C0G2A472JRT06

Mfr.#: FG18C0G2A472JRT06

OMO.#: OMO-FG18C0G2A472JRT06

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded RAD 100V 4700pF C0G 5% LS:2.5mm
865060640001

Mfr.#: 865060640001

OMO.#: OMO-865060640001

 Aluminum Electrolytic Capacitors - SMD WCAP-ASLL 50V 1uF 20% ESR=2900mOhms
AD633JRZ

Mfr.#: AD633JRZ

OMO.#: OMO-AD633JRZ-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

 Special Purpose Amplifiers ANALOG MULTIPLIER IC
L7805CV

Mfr.#: L7805CV

OMO.#: OMO-L7805CV-STMICROELECTRONICS

 IC REG LINEAR 5V 1.5A TO220AB
EVB-KSZ9897-1

Mfr.#: EVB-KSZ9897-1

OMO.#: OMO-EVB-KSZ9897-1-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 KSZ9897 Switch Evaluation Board with LAN7801 & KSZ9031
FG24X7R1H105KRT06

Mfr.#: FG24X7R1H105KRT06

OMO.#: OMO-FG24X7R1H105KRT06-TDK

 Cap Ceramic 1uF 50V X7R 10% Radial 5mm 125C
Disponibilità
Azione:
370
Su ordine:
2353
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di IXDN55N120D1 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
30,70 USD
30,70 USD
5
29,17 USD
145,85 USD
10
28,39 USD
283,90 USD
25
26,09 USD
652,25 USD
50
25,47 USD
1 273,50 USD
100
24,25 USD
2 425,00 USD
200
22,25 USD
4 450,00 USD
500
21,19 USD
10 595,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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