ZXTDE4M832TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-832-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V, 70 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V, 70 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Corrente massima del collettore CC:

3.5 A, 2.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

160 MHz, 180 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

900

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

3.5 A, - 2.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTD, ZXT