IPG20N06S2L-35

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Configurazione:

Dual

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

IPG20N06S2L35ATMA1 IPG2N6S2L35XT SP000613718

Tags

IPG20N06S2, IPG20N06, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG