AUIRFN8459TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

40 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

66 S

Tempo di caduta:

42 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

SP001517406

Tags

AUIRFN845, AUIRFN8, AUIRFN, AUIRF, AUIR, AUI