FF401R17KF6C-B2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

N

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1700 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.6 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

650 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 kW

Pacchetto/custodia:

IHM

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Altezza:

38 mm

Lunghezza:

140 mm

Tecnologia:

si

Larghezza:

73 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF401R17KF6CB2NOSA1 SP000100551

Tags

FF40, FF4