IXZH10N50L2B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247AD-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXZH10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

3.1 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Tags

IXZH10, IXZH1, IXZH, IXZ