STI55NF03L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

55 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 60 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

STRIPFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.6 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Serie:

STI55NF03L

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

400 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

STI55, STI5, STI