PHE13003A,412

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

WeEn Semiconduttori

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

30

Marca:

WeEn Semiconduttori

Guadagno base/collettore DC hfe min:

5

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

934063927412

Unità di peso:

0.007654 oz

Tags

PHE13003A, PHE13003, PHE1, PHE