DMN30H4D0L-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

300 V

Id - Corrente di scarico continua:

550 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

630 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN30

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

17.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.9 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMN30H4D0, DMN30H4, DMN30H, DMN30, DMN3, DMN