IPL60R210P6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ThinPAK-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

19.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

189 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

37 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

151 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

8 mm

Serie:

CoolMOS P6

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

7 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

IPL60R210P6AUMA1 SP001017096

Unità di peso:

0.006716 oz

Tags

IPL60R21, IPL60R2, IPL60, IPL6, IPL