NDS8852H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

5 ns, 8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns, 21 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns, 21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 9 ns

Unità di peso:

0.006596 oz

Tags

NDS885, NDS88, NDS8, NDS