IRFU5305PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

31 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

42 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

63 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

66 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

39 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Parte # Alias:

SP001550274

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IRFU53, IRFU5, IRFU, IRF