BUTW92

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

250 V

Collettore-tensione di base VCBO:

500 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BUTW92

Guadagno di corrente CC hFE Max:

65

Altezza:

20.15 mm (Max)

Lunghezza:

15.75 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

5.15 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

60 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

9

Pd - Dissipazione di potenza:

180 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

BUT