IRF1503SPBF

IRF1503SPBF
Mfr. #:
IRF1503SPBF
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IRF1503SPBF Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRF1503SPBF DatasheetIRF1503SPBF Datasheet (P4-P6)IRF1503SPBF Datasheet (P7-P9)IRF1503SPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IR
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.139332 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TO-252-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
200 W
Massima temperatura di esercizio
+ 175 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
48 ns
Ora di alzarsi
130 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
190 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
3.3 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
59 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
17 ns
Qg-Gate-Carica
130 nC
Modalità canale
Aumento
Tags
IRF1503S, IRF1503, IRF150, IRF15, IRF1, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ler Electronic
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
***ineon
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
***nell
MOSFET, N, 30V, 190A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:190A; Resistance, Rds On:0.0033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D2-PAK; Current, Idm Pulse:960A; Power Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.0033ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.75°C/W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:4V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IRF1503SPBF
DISTI # IRF1503SPBF-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IRF1503SPBF
    DISTI # SP001561632
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SP001561632)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Europe - 1230
    • 1:€1.8900
    • 10:€1.4900
    • 25:€1.3900
    • 50:€1.2900
    • 100:€1.2900
    • 500:€1.2900
    • 1000:€1.2900
    IRF1503SPBF
    DISTI # 70016945
    Infineon Technologies AGMOSFET,Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 2.6 Milliohms,ID 75A,D2Pak,PD 200W,VGS +/-20
    RoHS: Compliant
    0
    • 3200:$3.6500
    • 6400:$3.5770
    • 16000:$3.4680
    • 32000:$3.3220
    • 80000:$3.1030
    IRF1503SPBF
    DISTI # 942-IRF1503SPBF
    Infineon Technologies AGMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
    RoHS: Compliant
    0
      IRF1503SPBFInternational Rectifier 
      RoHS: Compliant
      Europe - 700
        IRF1503SPBF
        DISTI # XSKDRABS0006644
        Infineon Technologies AG 
        RoHS: Compliant
        1230
        • 1230:$1.9900
        • 1000:$2.1400
        Immagine Parte # Descrizione
        IRF1503STRLPBF

        Mfr.#: IRF1503STRLPBF

        OMO.#: OMO-IRF1503STRLPBF

        MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
        IRF150P220XKMA1

        Mfr.#: IRF150P220XKMA1

        OMO.#: OMO-IRF150P220XKMA1-1190

        TRENCH_MOSFETS - Rail/Tube (Alt: IRF150P220XKMA1)
        IRF1503STRRPBF

        Mfr.#: IRF1503STRRPBF

        OMO.#: OMO-IRF1503STRRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
        IRF150

        Mfr.#: IRF150

        OMO.#: OMO-IRF150-1190

        Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
        IRF1503S

        Mfr.#: IRF1503S

        OMO.#: OMO-IRF1503S-1190

        Nuovo e originale
        IRF150D1

        Mfr.#: IRF150D1

        OMO.#: OMO-IRF150D1-1190

        Nuovo e originale
        IRF150N

        Mfr.#: IRF150N

        OMO.#: OMO-IRF150N-1190

        Nuovo e originale
        IRF151

        Mfr.#: IRF151

        OMO.#: OMO-IRF151-1190

        Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
        IRF1503SPBF

        Mfr.#: IRF1503SPBF

        OMO.#: OMO-IRF1503SPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
        IRF1503PBF

        Mfr.#: IRF1503PBF

        OMO.#: OMO-IRF1503PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
        Disponibilità
        Azione:
        Available
        Su ordine:
        3000
        Inserisci la quantità:
        Il prezzo attuale di IRF1503SPBF è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
        Prezzo di riferimento (USD)
        Quantità
        Prezzo unitario
        est. Prezzo
        1
        2,08 USD
        2,08 USD
        10
        1,98 USD
        19,81 USD
        100
        1,88 USD
        187,65 USD
        500
        1,77 USD
        886,15 USD
        1000
        1,67 USD
        1 668,00 USD
        A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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