2N5209

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Corrente massima del collettore CC:

0.05 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5209

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5209 PBFREE

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2N520, 2N52, 2N5