SI1012CR-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-75-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

600 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

396 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

240 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

1.575 mm

Serie:

SI1

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.76 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

7.5 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

SI1012CR-GE3

Unità di peso:

0.000071 oz

Tags

SI1012, SI101, SI10, SI1