AS4C64M16D1A-6BINTR

AS4C64M16D1A-6BINTR
Mfr. #:
AS4C64M16D1A-6BINTR
Produttore:
Alliance Memory
Descrizione:
DRAM 1G 64Mx16 166MHz 2.5V DDR1 IT
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
AS4C64M16D1A-6BINTR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
AS4C64M16D1A-6BINTR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
SDRAM - DDR
Larghezza bus dati:
16 bit
Organizzazione:
64 M x 16
Pacchetto/custodia:
FBGA-60
Dimensione della memoria:
1 Gbit
Frequenza massima di clock:
166 MHz
Orario di accesso:
0.7 ns
Tensione di alimentazione - Max:
2.7 V
Tensione di alimentazione - Min:
2.3 V
Corrente di alimentazione - Max:
180 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Serie:
AS4C64M16D1A
Confezione:
Bobina
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
AS4C64M16D1A, AS4C64M16D1, AS4C64M16D, AS4C64M1, AS4C6, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
DDR1 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
Immagine Parte # Descrizione
AS4C64M16D2B-25BCN

Mfr.#: AS4C64M16D2B-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16D2B-25BCN

DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 C Temp
AS4C64M16D2-25BCNTR

Mfr.#: AS4C64M16D2-25BCNTR

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DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2
AS4C64M16D3LA-12BAN

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DRAM 1G 1.35V 800MHz 64M x 16 DDR3
AS4C64M16D1-6TINTR

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DDR SDRAM 1GB 64M x 16 2.5V 66pin TSOP II
AS4C64M16D3-12BANTR

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IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C64M16MD1-6BCN

Mfr.#: AS4C64M16MD1-6BCN

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DRAM 1G 1.8V 166Mhz 64M x 16 Mobile DDR
AS4C64M16D3L-12BIN

Mfr.#: AS4C64M16D3L-12BIN

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DRAM 1G 1.35V 1600Mhz 64M x 16 DDR3
AS4C64M16D3LB-12BAN

Mfr.#: AS4C64M16D3LB-12BAN

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IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C64M16D3LB-12BCNTR

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IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN

Mfr.#: AS4C64M16MD2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16MD2A-25BCN-ALLIANCE-MEMORY

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA
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