NTND31225CZTAG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

XLLGA-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

220 mA, 127 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

800 mOhms, 2.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

NTND31225CZ

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

0.48 S, 0.35 S

Tempo di caduta:

80 ns, 171 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25.5 ns, 71 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

142 ns, 280 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16.5 ns, 37 ns

Tags

NTND, NTN